[18a-431B-1~8] 6.5 Surface Physics, Vacuum

[18a-431B-7] Structural stability of the S-treated GaAs(111)B surface

〇Shunji Goto¹, Akihiro Ohtake², Jun Nakamura¹ (1.UEC-Tokyo, 2.NIMS)

Keywords:surface reconstruction, III-V-group compound semiconductors, first-principles calculation

最近、Se処理されたGaAs(111)B 表面の新たな構造(As/Se 終端)モデルが提案され、その安定性が示された。一方，エレクトロンカウンティング則を満たさないSeによる完全終端表面も安定構造として存在し得ることがわかった。本研究では、これらの安定性がSe特有のものであるかを調べるため、S終端モデルの安定性について、第一原理計算を用いて議論する。その結果、Sの場合も同様の安定化機構が働くことがわかった。