[18p-131-1~6] 10.1 新物質・新機能創成（作製・評価技術）

[18p-131-6] 磁場角度依存X M C D によるエピタキシャルC o N i 多層膜の結晶磁気異方性の研究

〇(DC)池田 啓祐¹、伊藤 啓太²、関 剛斎²、芝田 悟朗³、坂本 祥哉³、野中 洋亮³、池 震棟³、万 宇軒³、鈴木 雅弘³、酒巻 真粧子⁴、雨宮 健太⁴、高梨 弘毅²、和達 大樹¹、藤森 淳³ (1.東大物性研、2.東北大金研、3.東大理、4.KEK-PF)

キーワード：CoNi 多層膜、結晶磁気異方性、X線磁気円二色性

CoNi 多層膜は、エピタキシャルに成長させることで垂直磁気異方性が増大し、磁気ダンピング係数が抑えられることが報告されている、応用上興味がもたれている物質の一つである。今回、その磁気異方性について調べるため、磁場角度依存XMCD 測定を [Co(1ML)/Ni(1ML)]多層膜について行った。