2018年第79回応用物理学会秋季学術講演会

講演情報

シンポジウム(口頭講演)

シンポジウム » 窒化物半導体特異構造の科学 ~窒化物プロセス技術の新展開~

[18p-146-1~8] 窒化物半導体特異構造の科学 ~窒化物プロセス技術の新展開~

2018年9月18日(火) 13:30 〜 18:00 146 (レセプションホール)

岩谷 素顕(名城大)、熊谷 義直(農工大)

16:30 〜 17:00

[18p-146-6] AlGaN深紫外LEDの光取り出し効率の向上

平山 秀樹1、鹿嶋 行雄2 (1.理研、2.丸文)

キーワード:深紫外LED、窒化アルミニウムガリウム、光取り出し効率

AlGaN深紫外LEDは、殺菌・浄水、皮膚治療、樹脂硬化、印刷など幅広い応用分野において今後の大きな市場が期待されている。我々は、高反射フォトニック結晶を導入することにより深紫外LEDの光取り出し効率を向上することに成功した。