[18p-212A-1~14] 3.15 Silicon photonics

[18p-212A-4] Dependence of InP template thickness on electrical characteristics of GaInAsP lasers on directly bonded InP / Si substrates

〇(D)Xu Han¹, Gandhi Kallarasan¹, Kazuki Uchida¹, Masaki Aikawa¹, Hirokazu Sugiyama¹, Natsuki Hayasaka¹, Masaki Matsuura¹, Hiromu Yada¹, Kazuhiko Shimomura¹ (1.Sophia Univ.)

Keywords:Semiconductor laser, InP/Si, Directly Bonding

大規模集積回路の高速大容量通信を低消費電力で実現すべく，Si基板上へのInP系光デバイスの集積が盛んに研究されている。これに対し我々は薄膜InPをSiプラットフォーム上に貼り合せたInP/Si基板を作製し，この基板上にMOVPE法を用いることで光デバイスの作製及び集積する手法を提案してきた[1,2]。今回，Si基板上に厚みが異なるテンプレート層の貼り付けを行なった。このテンプレート上にGaInAsP-InPダブルヘテロレーザの集積を行い，発振したレーザの電気特性の評価を行ったのでその結果を報告する。