[18p-212B-1~11] 【CS.8】 7.4 量子ビーム界面構造計測, 9.5 新機能材料・新物性のコードシェアセッション

[18p-212B-4] X線CTR散乱迅速測定によるBi超薄膜成長過程の原子レベル追跡

〇白澤 徹郎¹、Voegeli Wolfgang²、溜池 裕太²、荒川 悦雄²、高橋 敏男² (1.産総研、2.東京学芸大)

キーワード：表面Ｘ線回折、超薄膜、成長過程

我々が開発した波長分散型Ｘ線CTR散乱法を用いて、成長中のBi超薄膜の構造を原子スケールで時間分解能1秒で構造解析した結果を報告する。低速電子線回折による先行研究では、バクルでは見られない黒燐構造が成長した後、臨界膜厚数nmにおいて、薄膜全体がバルクのBi構造に転移すると報告されていた。本研究により、臨界膜厚以上の膜厚でも、界面には黒燐構造が残ることが分かった。