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[18p-212B-4] X線CTR散乱迅速測定によるBi超薄膜成長過程の原子レベル追跡
キーワード:表面X線回折、超薄膜、成長過程
我々が開発した波長分散型X線CTR散乱法を用いて、成長中のBi超薄膜の構造を原子スケールで時間分解能1秒で構造解析した結果を報告する。低速電子線回折による先行研究では、バクルでは見られない黒燐構造が成長した後、臨界膜厚数nmにおいて、薄膜全体がバルクのBi構造に転移すると報告されていた。本研究により、臨界膜厚以上の膜厚でも、界面には黒燐構造が残ることが分かった。