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[18p-212B-8] Ge表面におけるX線誘起力場変化のXANAM測定
キーワード:放射光X線、非接触原子間力顕微鏡、半導体
表面/界面のナノ構造を個々に識別しながら、元素・化学状態を特定する手法として「X線支援原子間力顕微鏡(XANAM)」を開発してきた。これまでのNiナノ粒子をHOPGに蒸着した試料を用いて、X線誘起の原子間力変化の測定および解析、そして元素マッピングの取得方法について検討してきた。今回は同手法をGe半導体試料に適用し、X線による原子間力の変化をNiの場合と同様に捉えることができたことを報告する。