[18p-223-1~17] 6.3 酸化物エレクトロニクス

[18p-223-13] HVO₂チャネルを用いたトランジスタ構造の作製と電界効果プロトン濃度制御による抵抗変調

〇村岡 敬太¹、神吉 輝夫^1,2、植村 隆文¹、関谷 毅¹、田中 秀和^1,2 (1.阪大産研、2.阪大CSRN)

キーワード：トランジスタ、水素、薄膜