2018年第79回応用物理学会秋季学術講演会

講演情報

一般セッション(口頭講演)

6 薄膜・表面 » 6.3 酸化物エレクトロニクス

[18p-223-1~17] 6.3 酸化物エレクトロニクス

2018年9月18日(火) 13:15 〜 18:00 223 (223)

高橋 竜太(東大)

16:45 〜 17:00

[18p-223-13] HVO2チャネルを用いたトランジスタ構造の作製と電界効果プロトン濃度制御による抵抗変調

村岡 敬太1、神吉 輝夫1,2、植村 隆文1、関谷 毅1、田中 秀和1,2 (1.阪大産研、2.阪大CSRN)

キーワード:トランジスタ、水素、薄膜