[18p-223-1~17] 6.3 Oxide electronics

[18p-223-17] Control of Carrier in La_0.67Sr_0.33MnO₃(100) Thin Film with All Solid State Ionics Device

〇(D)Kinya Kawamura^1,2, Takashi Tsuchiya², Tohru Higuchi¹, Kazuya Terabe² (1.Tokyo Univ. of Sci., 2.NIMS)

Keywords:Solid State Ionics, LSMO

次世代技術として期待される磁気抵抗メモリ(MRAM)をはじめとするスピントロニクス応用を目指し，スピン注入磁化反転を含む様々な磁気特性制御法が検討されている．本研究では，室温強磁性体であり様々な磁気特性が化学ドープや酸素不定比性による電子キャリア濃度に依存することが知られるLa_0.67Sr_0.33MnO₃ (LSMO)に注目し，固体電解質薄膜とのイオン授受による磁化率や磁気異方性等の可逆的かつ不揮発的なその場制御を狙う．