2018年第79回応用物理学会秋季学術講演会

講演情報

一般セッション(口頭講演)

6 薄膜・表面 » 6.3 酸化物エレクトロニクス

[18p-223-1~17] 6.3 酸化物エレクトロニクス

2018年9月18日(火) 13:15 〜 18:00 223 (223)

高橋 竜太(東大)

13:45 〜 14:00

[18p-223-3] 六方晶窒化ホウ素上におけるVO2薄膜の成長と評価(2)

玄地 真悟1、重松 晃次2、有冨 翔大2、山本 真人1、神吉 輝夫1、渡邊 賢司3、谷口 尚3、村上 恭和2、田中 秀和1 (1.阪大産研、2.九大工、3.物材機構)

キーワード:金属-絶縁体相転移、二酸化バナジウム、六方晶窒化ホウ素

デバイス応用を志向した,層状物質で良い誘電性を持つ六方晶窒化ホウ素上(hBN)上でVO2が結晶成長できること前回報告したが,Al2O3を下地にするとhBNにしわが寄ってしまい電気伝導測定後にひび割れを起こしていた。今回SiO2を下地として用いることでVO2/hBNのしわの形成を防ぎ,平坦なVO2薄膜結晶成長を実現した。また,走査型透過電子顕微鏡による断面観察によりVO2/hBNの結晶構造性と界面構造の解析を行った。