[18p-223-1~17] 6.3 酸化物エレクトロニクス

[18p-223-3] 六方晶窒化ホウ素上におけるVO₂薄膜の成長と評価（２）

〇玄地 真悟¹、重松 晃次²、有冨 翔大²、山本 真人¹、神吉 輝夫¹、渡邊 賢司³、谷口 尚³、村上 恭和²、田中 秀和¹ (1.阪大産研、2.九大工、3.物材機構)

キーワード：金属-絶縁体相転移、二酸化バナジウム、六方晶窒化ホウ素

デバイス応用を志向した，層状物質で良い誘電性を持つ六方晶窒化ホウ素上（hBN）上でVO₂が結晶成長できること前回報告したが，Al₂O₃を下地にするとhBNにしわが寄ってしまい電気伝導測定後にひび割れを起こしていた。今回SiO₂を下地として用いることでVO₂/hBNのしわの形成を防ぎ，平坦なVO₂薄膜結晶成長を実現した。また，走査型透過電子顕微鏡による断面観察によりVO₂/hBNの結晶構造性と界面構造の解析を行った。