[18p-224B-1~11] 17.3 層状物質

[18p-224B-2] レーザー照射による2層WSe₂の最表層選択的酸化

〇塩谷 広樹¹、塚越 一仁²、上野 啓司³、大岩 顕⁴ (1.阪大ナノセンター、2.WPI-MANA 物材機構、3.埼玉大院理工、4.阪大産研)

キーワード：遷移金属ダイカルコゲナイド、ドーピング

従来、遷移金属ダイカルコゲナイドに対するキャリアドーピング効果について多くの研究がなされて来たが、それらの多くはFET構造に基づくゲート電圧印加に基づいている。一方、最近オゾンを用いたWSe₂の最表層選択的酸化によるホールドープが報告されており、ドーピング手法としても拡がりを見せている。本講演では、レーザー照射によるWSe₂の最表層選択的酸化の試みを紹介する。