[18p-224B-1~11] 17.3 層状物質

[18p-224B-3] 遷移金属半導体表面におけるドナー性分子の自発的なパターン形成機構

〇一宮 永¹、瀧ノ上 正浩²、福井 暁人¹、吉村 武¹、芦田 淳¹、藤村 紀文¹、桐谷 乃輔^1,3 (1.大阪府大工、2.東工大情報理工、3.科学技術振興機構さきがけ)

キーワード：遷移金属半導体、ドナー性分子、自発的なパターン形成