[18p-224B-1~11] 17.3 Layered materials

[18p-224B-7] Magnetic properties of vanadium selenide thin films grown by molecular-beam epitaxy

〇Masaki Nakano¹, Satoshi Yoshida¹, Mohammad Saeed Bahramy^1,2, Yue Wang¹, Hideki Matsuoka¹, Yuki Majima¹, Yuta Ohigashi¹, Yuta Kashiwabara¹, Masato Sakano¹, Kyoko Ishizaka^1,2, Yoshihiro Iwasa^1,2 (1.Dept. of Appl. Phys., Univ. of Tokyo, 2.RIKEN-CEMS)

Keywords:2D materials, Transition-metal dichalcogenide, Molecular-beam epitaxy

我々のグループでは分子線エピタキシー（MBE）法による遷移金属カルコゲナイド薄膜・ヘテロ構造の作製と物性開拓に取り組んでいる。最近、MBE法でサファイア基板上に作製したVセレン化物は、バルクでは見られない特異な磁性を示すことを発見した。本講演ではこのVセレン化物エピタキシャル薄膜の磁性について、輸送特性を中心に報告する。