[18p-224B-1~11] 17.3 層状物質

[18p-224B-7] 分子線エピタキシー法で作製したVセレン化物薄膜の磁気特性

〇中野 匡規¹、吉田 訓¹、Bahramy Mohammad Saeed^1,2、王 越¹、松岡 秀樹¹、真島 裕貴¹、大東 祐汰¹、柏原 悠太¹、坂野 昌人¹、石坂 香子^1,2、岩佐 義宏^1,2 (1.東大院工、2.理研CEMS)

キーワード：2次元物質、遷移金属カルコゲナイド、分子線エピタキシー

我々のグループでは分子線エピタキシー（MBE）法による遷移金属カルコゲナイド薄膜・ヘテロ構造の作製と物性開拓に取り組んでいる。最近、MBE法でサファイア基板上に作製したVセレン化物は、バルクでは見られない特異な磁性を示すことを発見した。本講演ではこのVセレン化物エピタキシャル薄膜の磁性について、輸送特性を中心に報告する。