[18p-224B-1~11] 17.3 層状物質

[18p-224B-8] 分子線エピタキシー法によるNbSe₂超薄膜の作製と二次元超伝導物性

〇松岡 秀樹¹、中野 匡規¹、小濱 芳允^1,3、王 越¹、柏原 悠太¹、吉田 訓¹、松井 一樹³、下起 敬史¹、大内 拓⁴、石坂 香子^1,2、野島 勉⁴、川﨑 雅司^1,2、岩佐 義宏^1,2 (1.東大院工、2.理研CEMS、3.東大物性研、4.東北大金研)

キーワード：超伝導、遷移金属ダイカルコゲナイド、分子線エピタキシー法

遷移金属ダイカルコゲナイド（TMD）の薄膜は、NbSe₂における二次元超伝導を始めとする多彩な二次元物理現象の発現の場として注目を集めている。TMD薄膜の主な製造方法はこれまで機械的剥離および化学気相成長であったが、本研究では分子線エピタキシー法(MBE)を用いた高品質なNbSe₂薄膜の作製に成功した。発表ではNbSe₂薄膜の成長過程とその二次元超伝導物性について述べる。