[18p-224B-1~11] 17.3 層状物質

[18p-224B-9] 分子線エピタキシー法を用いたTaSe₂超薄膜の作製

〇(M1)田中 勇貴¹、松岡 秀樹¹、中野 匡規¹、岩佐 義宏^1,2 (1.東大院工、2.理研CEMS)

キーワード：超伝導、遷移金属ダイカルコゲナイド、分子線エピタキシー法

NbSe₂超薄膜に代表されるイジング超伝導体は、反転対称性の破れと大きなスピン軌道相互作用に起因する特殊な超伝導状態を示すため、非常に重要な物質系である。本研究では、NbSe₂とは大きく異なった電子構造を有するTaSe₂に着目し、分子線エピタキシー(MBE)法を用いて良質なTaSe₂超薄膜の作製を行った。