[18p-232-1~17] 3.13 Semiconductor optical devices

[18p-232-6] Design of an electron barrier for a T2SL infrared photodetector

〇Yuichi Igarashi¹, Tsuyoshi Yamamoto¹ (1.NEC System Platform Research Labs.)

Keywords:infrared photodetector, Type 2 super lattice

タイプ２超格子（Type 2 super lattice: T2SL）赤外線検出器は量子型の赤外線検出器の一種であり、水銀カドミウムテルル赤外線検出器に匹敵する高い感度を得られる可能性があることから注目を集めている。T2SL 赤外線検出器のS/N 比向上のためには、暗電流（光電流とは無関係に流れる電流）を抑制することが重要である。今回我々は、暗電流の抑制のための構造として、InP 基板と格子整合するタイプ１超格子(T1SL)からなる電子障壁層を考案した。数値シミュレーションによりタイプ１超格子の好ましい膜厚および暗電流低減効果を見積もったので、その結果について報告する。