2018年第79回応用物理学会秋季学術講演会

講演情報

一般セッション(口頭講演)

3 光・フォトニクス » 3.13 半導体光デバイス

[18p-232-1~17] 3.13 半導体光デバイス

2018年9月18日(火) 13:15 〜 18:00 232 (232)

沼居 貴陽(立命館大)、内田 史朗(千葉工大)

14:45 〜 15:00

[18p-232-6] T2SL 赤外線検出器の暗電流低減のための電子障壁層の設計

五十嵐 悠一1、山本 剛1 (1.NEC シスプラ研)

キーワード:赤外線検出器、タイプ2超格子

タイプ2超格子(Type 2 super lattice: T2SL)赤外線検出器は量子型の赤外線検出器の一種であり、水銀カドミウムテルル赤外線検出器に匹敵する高い感度を得られる可能性があることから注目を集めている。T2SL 赤外線検出器のS/N 比向上のためには、暗電流(光電流とは無関係に流れる電流)を抑制することが重要である。今回我々は、暗電流の抑制のための構造として、InP 基板と格子整合するタイプ1超格子(T1SL)からなる電子障壁層を考案した。数値シミュレーションによりタイプ1超格子の好ましい膜厚および暗電流低減効果を見積もったので、その結果について報告する。