[18p-234B-1~19] 15.3 III-V族エピタキシャル結晶・エピタキシーの基礎

[18p-234B-1] 超高速成長GaAsの低温フォトルミネセンス特性

〇生方 映徳¹、相原 健人²、ソダーバンル ハサネット³、大島 隆治²、菅谷 武芳²、渡辺 健太郎³、小関 修一¹、矢野 良樹¹、田渕 俊也¹、松本 功¹、中野 義昭⁴、杉山 正和³ (1.大陽日酸㈱、2.産業技術総合研究所、3.東大先端研、4.東大院工)

キーワード：太陽電池、MOCVD、GaAs

GaAsは太陽電池に適用すると電力変換効率の高いことが知られているが、Si太陽電池に比べて高コストのため応用範囲が衛星などに限定されている。我々は高効率太陽電池の成膜スループット改善に取り組んでおり、超高速成長によるGaAs太陽電池で高効率を実証した。本発表は成長したGaAsの光学特性について報告する。高速成長下でV/III供給比を40から5範囲で変化した結果、エキシトン発光が確認され結晶品位が劣化していないことが示唆される。