[18p-234B-1~19] 15.3 III-V族エピタキシャル結晶・エピタキシーの基礎

[18p-234B-10] サブモノレイヤーInAs 層を介した光アップコンバージョン

〇水野 皓登¹、Zhang Yuwei¹、神谷 格¹ (1.豊田工業大学)

キーワード：量子ドット、サブモノレイヤー成長

InAs/GaAsサブモノレイヤー（SML）結晶成長法を利用した中間バンド型太陽電池等への応用が検討されているが、多光子吸収過程の詳細はあまり解明されていない。本研究ではSML-InAs層とInGaAs量子井戸層を組み合わせた試料を用い、フォトルミネッセンス（PL）測定とup-converted PL（UPL）測定を実施し、アップコンバージョン過程におけるキャリアダイナミクスを検討した。