[18p-234B-1~19] 15.3 III-V族エピタキシャル結晶・エピタキシーの基礎

[18p-234B-12] 分子線堆積法によるSiO_x/半導体上へのInAs量子ドットの自己形成(2)

〇馬飼野 彰宜¹、坂本 克好¹、曽我部 東馬¹、山口 浩一¹ (1.電通大　基盤理工)

キーワード：量子ドット