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一般セッション(口頭講演)

15 結晶工学 » 15.3 III-V族エピタキシャル結晶・エピタキシーの基礎

[18p-234B-1~19] 15.3 III-V族エピタキシャル結晶・エピタキシーの基礎

2018年9月18日(火) 13:15 〜 18:30 234B (234-2)

影山健生(QDレーザ)、中尾亮(NTT)、神谷格(豊田工大)

16:45 〜 17:00

[18p-234B-13] Si(111)基板上に成長したInAs極薄膜のラマン分光法による歪み評価

〇神林郁哉¹、星井拓也¹、角嶋邦之¹、若林整¹、筒井一生¹ (1.東工大)

キーワード：InAs、ラマン分光法