[18p-234B-1~19] 15.3 III-V族エピタキシャル結晶・エピタキシーの基礎

[18p-234B-16] (411)A面 GaAs基板上のGaAs/GaAsBi量子井戸のPL偏光特性

〇山本 巧¹、樋口 憧生¹、塚本 晟¹、田中 佐武郎¹、神原 誉¹、下村 哲¹ (1.愛媛大院理工)

キーワード：偏光特性、PL特性、GaAsBi/GaAs

(100) GaAsBi/GaAs 量子井戸と同時に成長した(411)A面上のGaAsBi/GaAs 量子井戸について偏光特性を調べ、(100)面上のGaAsBi/GaAs 量子井戸と比較した。この結果、 (411)A量子井戸は短波長側ピークの偏光度はP＝0.25と(100)量子井戸の偏光度P＝0.22とほぼ等しく、長波長側のピークの偏光度はP=0.33と大きな偏光をもつことが分かった。