[18p-234B-1~19] 15.3 III-V族エピタキシャル結晶・エピタキシーの基礎

[18p-234B-17] MOVPE法で作製したInAs /GaSb超格子の中赤外発光特性の層厚依存性

〇前田 幸治¹、若城 玲亮¹、山形 勇也¹、荒井 昌和¹ (1.宮大工)

キーワード：II型超格子、中赤外発光、有機金属気相成長法

MOVPE法により中赤外発光素子を目的として、系統的にInAs /GaSb 超格子構造を作製し、層厚の違いによる発光特性の変化を調査した。XRDにより、回折ピーク位置は、InAs層の膜厚を変化させた際にはあまり変化しないが、GaSb層の膜厚を変化させた際には大きく変化した。これは、残留ガスの影響の可能性もある。測定できた5µｍ以下の波長で20Kで発光が得られた。