[18p-234B-1~19] 15.3 III-V族エピタキシャル結晶・エピタキシーの基礎

[18p-234B-18] GaAsSb/GaAs(001)の格子緩和異方性による歪み緩和への影響

〇(M2)結城 正也¹、野川 翔太¹、荒井 昌和¹、大下 祥雄²、佐々木 拓生³、高橋 正光³、鈴木 秀俊¹ (1.宮崎大工、2.豊田工大、3.量研機構)

キーワード：格子緩和異方性

多接合型太陽電池の格子不整合材料の積層によって発生する転位を低減させるために各層での歪み緩和を理解することが重要となる。III-V族化合物半導体は歪み緩和過程に異方性が生じ最終的な結晶性に影響を与えることが見出されている。そこで本研究ではIII-V-V’型であるGaAsSbに着目した。本報告では、GaAsSb/GaAs(001)の格子緩和過程をその場三次元X線逆格子マッピング(3D-RSM)で評価し、構成元素の違いが歪み緩和過程に与える影響を明らかにすることを目的とした。