[18p-234B-1~19] 15.3 III-V族エピタキシャル結晶・エピタキシーの基礎

△ [18p-234B-2] Si(001)基板上GaAs薄膜の結晶性に対するレーザーアニールの影響

〇金子 翔一¹、前田 幸治¹、碇 哲雄¹、福山 敦彦¹、鈴木 秀俊¹ (1.宮崎大工)

キーワード：III-V族化合物半導体、MBE、レーザーアニール

GaAs/Si(001)など、III-V族半導体をSiに直接接合したデバイスは、Siデバイスより高性能なデバイスとして期待されている。しかしながら実用化に至るまでの成果は得られてはいない。その原因の1つとして、熱膨張係数差により発生する成長層への欠陥が挙げられる。そこで我々は低温成長させたGaAs薄膜にレーザーを照射し、結晶性の向上を試みている。今回は基板温度を変化させてSi基板上に結晶成長させたGaAs薄膜にレーザーを照射し、基板温度とレーザーアニール前後のGaAs薄膜の結晶性や歪みへの影響の関係性について評価した。