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△ [18p-234B-2] Si(001)基板上GaAs薄膜の結晶性に対するレーザーアニールの影響
キーワード:III-V族化合物半導体、MBE、レーザーアニール
GaAs/Si(001)など、III-V族半導体をSiに直接接合したデバイスは、Siデバイスより高性能なデバイスとして期待されている。しかしながら実用化に至るまでの成果は得られてはいない。その原因の1つとして、熱膨張係数差により発生する成長層への欠陥が挙げられる。そこで我々は低温成長させたGaAs薄膜にレーザーを照射し、結晶性の向上を試みている。今回は基板温度を変化させてSi基板上に結晶成長させたGaAs薄膜にレーザーを照射し、基板温度とレーザーアニール前後のGaAs薄膜の結晶性や歪みへの影響の関係性について評価した。