2018年第79回応用物理学会秋季学術講演会

講演情報

一般セッション(口頭講演)

15 結晶工学 » 15.3 III-V族エピタキシャル結晶・エピタキシーの基礎

[18p-234B-1~19] 15.3 III-V族エピタキシャル結晶・エピタキシーの基礎

2018年9月18日(火) 13:15 〜 18:30 234B (234-2)

影山 健生(QDレーザ)、中尾 亮(NTT)、神谷 格(豊田工大)

13:45 〜 14:00

[18p-234B-3] GaPのMBE成長におけるGa吸着子の表面拡散長の定量化

塩田 幸輝1、山根 啓輔1、Jose Alberto Piedra-Lorenzana1、関口 寛人1、岡田 浩1、若原 昭浩1 (1.豊橋技科大工)

キーワード:MBE成長、拡散長、GaP