[18p-234B-1~19] 15.3 III-V族エピタキシャル結晶・エピタキシーの基礎

△ [18p-234B-5] 分子線エピタキシー法により成長したGe添加GaPN混晶の電気的特性

〇田中 俊介¹、山根 啓輔¹、関口 寛人¹、岡田 浩¹、若原 昭浩¹ (1.豊橋技科大)

キーワード：半導体、結晶成長、Ge添加

GaP 系III-V-N 混晶では、SおよびMgを用いてそれぞれn 型およびp型の導電性制御が実証されている。しかしながらGaPN:S では、窒素添加によるキャリア濃度の低下が問題となっていた。これまでに我々は、Ge ドーパントを提案し、n-GaP の導電性制御の可能性を見出したが、窒素添加時の電気的特性の調査は不十分であった。本研究では窒素組成0-2%のGaPN:Geを成長することでGaPN:Sとは対照的に窒素添加によりキャリア活性化率が増加することを見出した。