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一般セッション(口頭講演)

15 結晶工学 » 15.3 III-V族エピタキシャル結晶・エピタキシーの基礎

[18p-234B-1~19] 15.3 III-V族エピタキシャル結晶・エピタキシーの基礎

2018年9月18日(火) 13:15 〜 18:30 234B (234-2)

影山健生(QDレーザ)、中尾亮(NTT)、神谷格(豊田工大)

14:30 〜 14:45

△ [18p-234B-6] 第一原理計算によるGaAsN混晶中のN原子配置のバンド構造への影響の検討

〇(M1)塚原悠太¹、八木修平¹、矢口裕之¹ (1.埼大院理工)

キーワード：第一原理計算、GaAsN混晶