窒素2%以上のGaNAsナノワイヤの成長

講演情報

一般セッション(口頭講演)

15 結晶工学 » 15.3 III-V族エピタキシャル結晶・エピタキシーの基礎

2018年9月18日(火) 13:15 〜 18:30 234B (234-2)

影山健生(QDレーザ)、中尾亮(NTT)、神谷格(豊田工大)

15:00 〜 15:15

〇藤原亮¹、行宗詳規¹、Jansson Mattias²、Chen Weimin²、Buyanova Irina²、石川史太郎¹ (1.愛媛大工、2.Linköping Univ.)

キーワード：ナノワイヤ