[18p-234B-1~19] 15.3 III-V族エピタキシャル結晶・エピタキシーの基礎

[18p-234B-8] GaAsキャップ温度による窒素ドープGaAs(001)面上InAs量子ドットの発光波長への影響

〇海津 利行^1,2、上西 奈緒人¹、喜多 隆¹ (1.神戸大院工、2.神戸大研究基盤セ)

キーワード：量子ドット、窒素ドープ、発光波長