[18p-235-1~14] 15.5 Group IV crystals and alloys

△ [18p-235-10] Evaluation of Strain Relaxation in Patterned Carbon Doped Silicon

〇Kazutoshi Yoshioka¹, Ryo Yokogawa^1,2, Naomi Sawamoto¹, Atsushi Ogura¹ (1.Meiji Univ., 2.JSPS Research Fellow DC)

Keywords:Raman Spectroscopy, Carbon Doped Silicon

Si:Cは、チャネルストレッサーとして用いられている。本研究では、パターン状に微細加工されたSi:Cにおける歪緩和の評価を行った。試料はC濃度0.6および1.06%のSi:Cをパターン状に加工した。パターン短軸幅は1, 0.5, 0.2, 0.1 µmとした。結果、パターン加工による歪の緩和が観測され、また、パターン短軸幅が小さくなるほど緩和の度合いが大きくなる傾向が明確に示された。