[18p-235-1~14] 15.5 IV族結晶，IV-IV族混晶

[18p-235-13] 液浸ラマン分光法で観測される高濃度SiGeラマンスペクトルのブロードピークを利用したGe濃度定量

〇横川 凌^1,2、小原田 賢聖¹、吉岡 和俊¹、石原 聖也^1,2、臼田 宏治³、小椋 厚志¹ (1.明治大理工、2.学振特別研究員DC、3.東芝メモリ(株))

キーワード：ラマン分光法、SiGe

SiGeは次世代デバイスへの応用が期待され、中でもGe濃度は格子定数等に直接影響するため高精度な評価が求められる。デバイス微小領域のGe濃度評価手法の一つとしてラマン分光が挙げられるが従来の手法では等方性二軸歪仮定のみでしか適用できずGe濃度の定量が困難であった。そこで本研究では液浸ラマン分光法で観測される高濃度SiGe試料のブロードピークに着目し新たなGe濃度評価について検討した。