[18p-235-1~14] 15.5 Group IV crystals and alloys

△ [18p-235-4] Evaluation of Three-Dimensional Strain in Ge_1-xSn_x Mesa Structure Using Reciprocal Space Mapping

〇Yuki Takahashi¹, Ryo Yokogawa^1,2, Ichiro Hirosawa³, Kohei Suda¹, Atsushi Ogura¹ (1.Meiji Univ., 2.JSPS Research Fellow, 3.Japan Synchrotron Radiation Research Institute (JASRI))

Keywords:strain, Reciprocal Space Mapping

メサ構造をしたSn濃度3.2、2.1、及び1.3％のGe_1-xSn_x /Ge(001)膜について、115及び-115(3.2、2.1%)、337及び-337(1.3%)近傍の逆格子空間マッピングの測定を行った結果、メサ構造の長辺方向の格子面間隔はGe基板と一致し、面直及び短辺方向の格子面間隔はGe基板よりが長くなることが確認され、3軸歪の詳細な評価が可能となることが明らかにあった。