[18p-235-1~14] 15.5 IV族結晶，IV-IV族混晶

△ [18p-235-4] 逆格子空間マッピングを用いたGe_1-xSn_xメサ構造の3軸歪評価

〇高橋 祐樹¹、横川 凌^1,2、廣沢 一郎³、須田 耕平¹、小椋 厚志¹ (1.明治大理工、2.学振特別研究員DC、3.高輝度光科学研究センター)

キーワード：歪、逆格子空間マッピング

メサ構造をしたSn濃度3.2、2.1、及び1.3％のGe_1-xSn_x /Ge(001)膜について、115及び-115(3.2、2.1%)、337及び-337(1.3%)近傍の逆格子空間マッピングの測定を行った結果、メサ構造の長辺方向の格子面間隔はGe基板と一致し、面直及び短辺方向の格子面間隔はGe基板よりが長くなることが確認され、3軸歪の詳細な評価が可能となることが明らかにあった。