[18p-431B-1~12] 【CS.7】 6.5 表面物理・真空, 7.6 原子・分子線およびビーム関連新技術のコードシェアセッション

[18p-431B-6] FIB基板加工による単結晶膜成長時の基板との歪開放

〇吉武 道子¹、柳生 進二郎¹、知京 豊裕¹ (1.物材機構)

キーワード：歪、エピ膜、FIB加工

Cu-9Al(111)単結晶基板上に成長させたエピアルミナ膜は原子レベルで平坦で、チャージアップしない成長基板として有望である。が、一辺が5~10µm程度の三角形の欠陥（基板に穴が開いている）が方向をそろえて多数する問題があった。基板にあらかじめFIB加工により歪を開放するための溝を設けると、欠陥は溝の周辺に集まって欠陥のないエピタキシャルアルミナ膜が得られた。