The 79th JSAP Autumn Meeting, 2018

Presentation information

Oral presentation

Code-sharing session » 【CS.7】 Code-sharing Session of 6.5 & 7.6

[18p-431B-1~12] 【CS.7】 Code-sharing Session of 6.5 & 7.6

Tue. Sep 18, 2018 1:45 PM - 5:15 PM 431B (431-2)

Shuichi Ogawa(Tohoku Univ.), Mitsunori Kurahashi(NIMS)

4:15 PM - 4:30 PM

[18p-431B-9] Control of Water Repellency on Defect-free and Ordered Si Nanopillar Structure Surface

〇(P)Daisuke Ohori1, Seiji Samukawa1,2 (1.IFS, Tohoku Univ., 2.AIMR, Tohoku Univ.)

Keywords:surface nano structure, neutral beam etching, nanopillar

本研究ではSiナノピラー構造を作製し、その間隔や長さを変化させることで表面における撥水効果の制御について検討した。高さ25nm、間隔25nmのSiナノピラー構造の接触角の測定結果より、酸化膜付きの場合、4.6度という超親水性を、酸化膜除去後では、112度という高撥水性を示した。以上より、Siナノ構造の表面状態および構造、配置制御により超親水性から高撥水性を制御できることが分かった。