2018年第79回応用物理学会秋季学術講演会

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コードシェアセッション » 【CS.7】 6.5 表面物理・真空, 7.6 原子・分子線およびビーム関連新技術のコードシェアセッション

[18p-431B-1~12] 【CS.7】 6.5 表面物理・真空, 7.6 原子・分子線およびビーム関連新技術のコードシェアセッション

2018年9月18日(火) 13:45 〜 17:15 431B (431-2)

小川 修一(東北大)、倉橋 光紀(物材機構)

16:15 〜 16:30

[18p-431B-9] 無欠陥配置制御 Si ナノピラー構造表面における撥水性の制御

〇(P)大堀 大介1、寒川 誠二1,2 (1.東北大流体研、2.東北大AIMR)

キーワード:表面ナノ構造、中性粒子ビームエッチング、ナノピラー

本研究ではSiナノピラー構造を作製し、その間隔や長さを変化させることで表面における撥水効果の制御について検討した。高さ25nm、間隔25nmのSiナノピラー構造の接触角の測定結果より、酸化膜付きの場合、4.6度という超親水性を、酸化膜除去後では、112度という高撥水性を示した。以上より、Siナノ構造の表面状態および構造、配置制御により超親水性から高撥水性を制御できることが分かった。