[18p-432-1~9] 超スマート社会に向けての固体イオニクスデバイス　 ～基礎から情報通信、人工知能、電池への応用まで～

[18p-432-8] 酸化物絶縁膜界面に出現するダイポール層の理解・制御とその応用

〇喜多 浩之¹ (1.東大院工)

キーワード：界面ダイポール層、絶縁膜、MOSデバイス

High-k絶縁膜をSiO₂と堆積すると，酸化物界面にダイポール効果が生じ，数百mVのオーダーでMOSFETの閾値電圧がシフトする。この効果は開発当初は想定すらしていなったものだが，今やLSIではその制御が必須である。本講演では静電的に不活性な常誘電体が容易に巨大なダイポール効果を生じる機構の定性的理解と，それに基づくダイポール層の強度の能動的な設計や応用可能性について議論する。