[18p-PA1-1~12] 1.6 超音波

[18p-PA1-6] SiO₂被膜によるトランスバーサル型SAWフィルタの絶縁性能向上

市川 佑樹¹、五箇 繁善¹、垣尾 省司²、〇綿田 堅¹、野中 凌¹、和田 圭二¹ (1.首都大、2.山梨大)

キーワード：SAWフィルタ、ゲート駆動回路、ワイドギャップ半導体

弾性表面波(SAW)を用いたゲート駆動回路の電気的絶縁特性改善を目的とし、従来型SAWフィルタにSiO₂被膜を施したSiO₂/Al/LiNbO₃構造に関して報告する。SiO₂は空気に比べ比誘電率が十分大きくなるため、入出力IDT間の電気的絶縁性能の向上が見込まれる。
本報告では、SiO₂被膜厚の異なるSiO₂/Al/LiNbO₃構造SAWフィルタを作製し、電気的絶縁性能の評価を行うことで、SiO₂被膜による電気的絶縁性能の改善とその効果を明らかにする。