[18p-PA2-1~20] 6.4 Thin films and New materials

[18p-PA2-1] Atomic Structure of K impurities in SiO₂

〇Takeshi Miyajima¹, Masaaki Araidai^2,1, Kenji Shiraishi^2,1 (1.Nagoya Univ., 2.IMaSS, Nagoya Univ.)

Keywords:first-principles calculation, SiO2, Potassium

近年、絶縁体中の金属原子の拡散現象を機能的に利用するデバイスの研究が行われている。例えば、振動型MEMS発電デバイスの固体イオンエレクトレットの作成にはSiO₂中に混入したカリウム原子が利用されている。しかしSiO₂中に電荷を蓄える要因は未だ分かってない。そこで本研究では、密度汎関数理論に基づく第一原理計算を用いて、カリウム原子が混入した際のSiO₂の構造と荷電状態を解析し、固体イオンエレクトレットの原理を明らかにする。