[18p-PA2-1~20] 6.4 薄膜新材料

[18p-PA2-18] マイクロ波プラズマCVD法で銅箔基板上にｈ-BN 膜の成長

〇アディカリ スディープ^1,2、サラマ スバス^1,3、朱 儒成¹、梅野 正義¹ (1.シーズテクノ、2.中部大、3.名工大)

キーワード：六方晶　窒化ホウ素、マイクロ波プラズマCVD、低温

背景] : 六方晶 窒化ホウ素(h-BN)は、ホウ素と窒素原子からなる六方格子を有し、大きなバンドギャップ（約６ eV） を持つ層状結晶です。これらの 構造はよく似ており性質は大きく異 なっているh-BNとグラフェンを組み合わせることにより，さまざまな応用が 期待されています。 特に、ｈ－BN基板上に成長したグラフェンの移動度他の基板上のグラフェンより約５から１０倍以上大きくなる。 窒素プラズマ中にアンモニアボロン（NH₃BH₃）を原料として使用し、700℃で銅箔基板上にh-BN膜を成長した。銅箔基板上に成長したh-BN膜の顕微鏡の画像とラマン スペクトラムのピークで確認した。