[18p-PA2-1~20] 6.4 薄膜新材料

[18p-PA2-4] 触媒反応支援CVD法における酸化亜鉛薄膜への窒素ドーピング

〇安井 寛治¹、安達 雄大¹、伊庭 竜太¹、小野 翔太郎¹、Abdul Manaf² (1.長岡技科大、2.MJIIT)

キーワード：酸化亜鉛薄膜、触媒反応

触媒反応により生成した高エネルギーH₂Oを用いたCVD法で堆積したZnOへの窒素ドープを目指し, 膜成長時に加熱したIrワイア表面での触媒分解反応によりNOガスより生成した窒素ラジカルを供給した。XPSを用いて窒素の結合状態について調べた結果, 加熱Irワイア使用時にZn-N結合成分が増加し, 特にNOガス圧が0.01Pa以下において窒素ドープに効果があることが分かった。