[18p-PA5-1~28] 12.4 有機EL・トランジスタ

[18p-PA5-1] 上部Al電極をスパッタ法で堆積した場合のAlq₃膜のPL強度の変化

〇安田 洋司¹、小林 信一¹、内田 孝幸¹、星 陽一¹ (1.東京工芸大学工)

キーワード：有機EL、スパッタリング、Al電極

我々は有機EL素子の上部電極膜をスパッタ法で堆積する技術の開発に取り組んできた。その結果、上部電極膜のスパッタ堆積時に基板に入射する高エネルギーの電子やスパッタ粒子を、対向ターゲット式スパッタ法などの方法を用いて完全に除去することが、極めて重要であることを明らかにしてきた。本研究では、我々が上部電極膜の作製に利用している対向ターゲット式低ダメージスパッタ法を利用して有機EL素子の発光層材料として広く利用されているAlq3薄膜上にAl電極膜を作製した場合に、下地Alq3膜が受けるダメージをPL強度の測定から評価することを試みた。