[18p-PA5-1~28] 12.4 有機EL・トランジスタ

[18p-PA5-10] 温度可変測定による印刷型有機トランジスタのトラップ解析

〇(B)上野 知英¹、塩飽 黎¹、和田 英樹¹、福田 貴²、熊木 大介¹、時任 静士¹、松井 弘之¹ (1.山形大ROEL、2.東ソー株式会社)

キーワード：低温測定、相分離、DTBDT-C6

本研究では、0.3 Vという低電圧で駆動可能な印刷型OFETの伝達特性を193 - 293 Kの温度範囲で測定し、トラップ状態密度分布を求めた。また半導体層に高分子絶縁体を混合することによるトラップ密度の変化を調べた。その結果、トラップ状態密度は高分子絶縁体の混合によって約1桁減少し、ルブレン単結晶OFETに匹敵するトラップ状態密度となることが明らかとなった。