[18p-PA6-1~30] 13.7 化合物及びパワー電子デバイス・プロセス技術

[18p-PA6-10] 選択ドライエッチングがp型GaNゲートAlGaN/GaN高電子移動度トランジスタの特性へ及ぼす影響

〇(M1)近藤 孝明¹、赤澤 良彦¹、岩田 直高¹ (1.豊工大)

キーワード：GaN、高電子移動度トランジスタ、ドライエッチング

p型GaNゲートAlGaN/GaN HEMTを前回報告した．このp型ゲートは，選択ドライエッチングで形成する．不要なp型層の除去には，過剰なエッチング時間を要する．これによるAlGaN層の薄膜化や欠陥が危惧され，ドライエッチングがHEMT特性へ与える影響を調べた．10分30秒間エッチング素子と20分30秒間の素子を作製し，特性を評価した．オーバーエッチングにより，オン抵抗は7.0から8.8Ω・mmに増加し，電子移動度は1600から1100cm²/V・sに低下した．