[18p-PA6-1~30] 13.7 化合物及びパワー電子デバイス・プロセス技術

△ [18p-PA6-17] ALD-Al₂O₃/GaN MOSにおける高圧水蒸気処理の時間依存性

〇(M2)中村 翼¹、上沼 睦典¹、藤本 裕太¹、石河 泰明¹、浦岡 行治¹ (1.奈良先端大)

キーワード：窒化ガリウム、高圧水蒸気処理、界面特性

絶縁膜/３族窒化物半導体の異種接合界面において、界面物性は信頼性などのデバイス特性に著しく影響を与えるため、界面制御技術は重要である。我々は、GaN 上堆積絶縁膜の熱処理として高圧水蒸気処理（High Pressure Water Vapor Annealing : HPWVA）に着目し、HPWVAによる絶縁膜及びMOS界面の高品質化を報告している。本研究では、高圧水蒸気の処理時間依存性に着目し、Al₂O₃/GaN MOS構造の電気特性におけるHPWVAの効果を検証した。