[18p-PA6-1~30] 13.7 化合物及びパワー電子デバイス・プロセス技術

[18p-PA6-30] GaN高周波非接触給電へ向けたNd-Fe-Nコイルの導入

〇井手 利英¹、今岡 伸嘉¹、尾崎 公洋¹、清水 三聡¹、高田 徳幸¹ (1.産総研)

キーワード：GaN、NdFeN、非接触給電

GaN電子デバイスは高周波・高出力の無線用デバイスとして有用であり、非接触給電回路への応用により回路の高周波化・高出力化が期待できる。GaN非接触給電では扱う周波数が10MHzを超えてくるため高周波に追従できる磁心材料を用いたコイルが必要となる。本研究では、Nd-Fe-N系磁心材料を用いた共振用コイルによりGaN非接触給電回路を動作させたので報告する。